BSS806NH6327XTSA1 vs BSS214NH6327XTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSS806NH6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSS214NH6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSS806NH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 2 MOSFET, SOT-23 | Infineon
BSS806NH6327XTSA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSS806NH6327XTSA1 | BSS214NH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS 2 (trench MOSFET) | OptiMOS 2 (planar N-channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 20 V | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 2.3 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | 57 mΩ | 250 mOhm at VGS = 4.5 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.8 V rated (logic level) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] |
| Gate Drive (recommended VGS) | 1.8 V to 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | — |
| Power Dissipation (PD, Ta) | 500 mW | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +150 C (junction) | -55C to +150C (junction) |
| पैकेज | PG-SOT23-3 (SOT-23-3) | SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS स्थिति | Compliant (Pb-free plating) | Compliant |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 1.5 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | ±12 V (recommended) |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |
| Lead Finish | — | Pb-free lead plating (matte tin) |
| ESD Protection | — | Yes (gate ESD diode) |