BSS806NH6327XTSA1 vs BSS214NH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS806NH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSS214NH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSS806NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 2 (trench MOSFET) OptiMOS 2 (planar N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V 20 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 2.3 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 57 mΩ 250 mOhm at VGS = 4.5 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.8 V rated (logic level) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
Gate Drive (recommended VGS) 1.8 V to 10 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Power Dissipation (PD, Ta) 500 mW —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C (junction)
پیکیج PG-SOT23-3 (SOT-23-3) SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free plating) Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Continuous Drain Current (ID) — 1.5 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
Gate-Source Voltage (VGS max) — ±12 V (recommended)
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Lead Finish — Pb-free lead plating (matte tin)
ESD Protection — Yes (gate ESD diode)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں