BSS87H6327FTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSS87H6327FTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSS127H6327XTSA2 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSS87H6327FTSA1 BSS127H6327XTSA2
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel enhancement-mode N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) 260 mA (Ta) 21 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 ohm max at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] 4.5 V (logic level, rated)
প্যাকেজ PG-SOT89-4-2 (SOT-89) SOT-23-3 (PG-SOT23)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +150C (junction) —
পিন সংখ্যা 3 (Gate / Drain / Source) 3
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant (lead-free)
Lead-Free / Pb-Free Yes (Pb-free plating) —
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Process Technology Vertical DMOS —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW (Ta)
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55 C to +150 C
dv/dt Rated — Yes
হ্যালোজেন মুক্ত — Yes, per IEC 61249-2-21

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট