BSS87H6327FTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSS87H6327FTSA1 bằng Infineon và BSS127H6327XTSA2 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSS87H6327FTSA1 | BSS127H6327XTSA2 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel enhancement-mode | N-Channel SIPMOS, enhancement mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 240 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 260 mA (Ta) | 21 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 1 W (Ta) | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 6 ohm max at VGS=10V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | 4.5 V (logic level, rated) |
| Hộp | PG-SOT89-4-2 (SOT-89) | SOT-23-3 (PG-SOT23) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C (junction) | — |
| Số chân | 3 (Gate / Drain / Source) | 3 |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant (lead-free) |
| Lead-Free / Pb-Free | Yes (Pb-free plating) | — |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Process Technology | Vertical DMOS | — |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 500 ohm at ID = 21 mA |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 500 mW (Ta) |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55 C to +150 C |
| dv/dt Rated | — | Yes |
| Đông trùng haogen | — | Yes, per IEC 61249-2-21 |