BSS87H6327FTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSS87H6327FTSA1 द्वारा Infineon और BSS127H6327XTSA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSS87H6327FTSA1 | BSS127H6327XTSA2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel enhancement-mode | N-Channel SIPMOS, enhancement mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 240 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 260 mA (Ta) | 21 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 1 W (Ta) | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 6 ohm max at VGS=10V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | 4.5 V (logic level, rated) |
| पैकेज | PG-SOT89-4-2 (SOT-89) | SOT-23-3 (PG-SOT23) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (junction) | — |
| पिन काउंट | 3 (Gate / Drain / Source) | 3 |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (lead-free) |
| Lead-Free / Pb-Free | Yes (Pb-free plating) | — |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Process Technology | Vertical DMOS | — |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 500 ohm at ID = 21 mA |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 500 mW (Ta) |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 C to +150 C |
| dv/dt Rated | — | Yes |
| हैलोजन फ्री | — | Yes, per IEC 61249-2-21 |