BSS87H6327FTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS87H6327FTSA1 tarafından Infineon ve BSS127H6327XTSA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS87H6327FTSA1 BSS127H6327XTSA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel enhancement-mode N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) 260 mA (Ta) 21 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 ohm max at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] 4.5 V (logic level, rated)
Paket PG-SOT89-4-2 (SOT-89) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) —
Pin Sayısı 3 (Gate / Drain / Source) 3
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
RoHS Durumu Compliant Compliant (lead-free)
Lead-Free / Pb-Free Yes (Pb-free plating) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Process Technology Vertical DMOS —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW (Ta)
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +150 C
dv/dt Rated — Yes
Klorürsüz — Yes, per IEC 61249-2-21

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin