FDS6575 vs IRF7416TRPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা FDS6575 নির্দিষ্ট onsemi ও IRF7416TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

onsemi
FDS6575 FDS6575 - P-Channel -20V 10A PowerTrench MOSFET | onsemi

FDS6575 - P-Channel -20V 10A PowerTrench MOSFET | onsemi

FDS6575 ✓ সক্রিয়
Infineon
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF - P-Ch 30V 10A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7416TRPBF - P-Ch 30V 10A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7416TRPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার FDS6575 IRF7416TRPBF
ব্র্যান্ড onsemi Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -20 V —
Continuous Drain Current (ID) -10 A —
On-Resistance (RDS(on)) 13 mOhm max at VGS = -4.5 V —
Gate Drive Voltage Range 2.5 V to 8 V —
গেট থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] 61 nC
Technology PowerTrench (rugged gate) HEXFET (IR MOSFET)
প্যাকেজ SOIC-8 (SO-8) 8-SO (SOIC-8)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Power Dissipation [DATA_NEEDED: power dissipation at TA] —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Configuration Single MOSFET —
Gate Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
FET Type — P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -10 A
Pulsed Drain Current (IDM) — -50 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 20 mOhm at VGS = -10 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — -1 V to -3 V
Power Dissipation (PD) max at TA=25C — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) — 50 C/W
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রার পরিসর — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes
MSL লেভেল — 1 (unlimited)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট