FDS6575 vs IRF7416TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از FDS6575 بذریعہ onsemi اور IRF7416TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF - P-Ch 30V 10A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7416TRPBF - P-Ch 30V 10A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7416TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر FDS6575 IRF7416TRPBF
برانڈ onsemi Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -20 V —
Continuous Drain Current (ID) -10 A —
On-Resistance (RDS(on)) 13 mOhm max at VGS = -4.5 V —
Gate Drive Voltage Range 2.5 V to 8 V —
گیٹ تھریشولڈ وولٹیج [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] 61 nC
Technology PowerTrench (rugged gate) HEXFET (IR MOSFET)
پیکیج SOIC-8 (SO-8) 8-SO (SOIC-8)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Power Dissipation [DATA_NEEDED: power dissipation at TA] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Configuration Single MOSFET —
Gate Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
FET Type — P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -10 A
Pulsed Drain Current (IDM) — -50 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 20 mOhm at VGS = -10 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — -1 V to -3 V
Power Dissipation (PD) max at TA=25C — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) — 50 C/W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes
MSL لیول — 1 (unlimited)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں