H5AN8G8NDJR vs AS4C512M16D4A-62BCN তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা H5AN8G8NDJR নির্দিষ্ট SK hynix ও AS4C512M16D4A-62BCN নির্দিষ্ট Alliance Memory. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | H5AN8G8NDJR | AS4C512M16D4A-62BCN |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | SK hynix | Alliance Memory |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| সংগঠন | 1G x 8 | 512M x 16 |
| ডেটা রেট | 3200 MT/s | 1600 MHz (3200 Mbps) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| VDDQ | 1.2 V | — |
| VPP | 2.5 V | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to 95°C |
| প্যাকেজ | FBGA-78 (7.5x11 mm) | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| CAS লেটেন্সি | 22 (typical) | 18 ns |
| tRCD | 22 ns | — |
| tRP | 22 ns | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | — |
| Self-Refresh Current | 30 mA (typical) | — |
| Active Standby Current | 60 mA (typical) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| মেমরি সাইজ | — | 8 Gbit |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 1.2 V |
| মাউন্টিং টাইপ | — | Surface Mount |
| JEDEC Standard | — | Compliant |
| ইন্টারফেস | — | POD (Pseudo Open Drain) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |
| Packaging | — | Tray |