H5AN8G8NDJR vs AS4C512M16D4A-62BCN Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng H5AN8G8NDJR sa pamamagitan ng SK hynix at AS4C512M16D4A-62BCN sa pamamagitan ng Alliance Memory. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | H5AN8G8NDJR | AS4C512M16D4A-62BCN |
|---|---|---|
| Brand | SK hynix | Alliance Memory |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisasyon | 1G x 8 | 512M x 16 |
| Rate ng Data | 3200 MT/s | 1600 MHz (3200 Mbps) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| VDDQ | 1.2 V | — |
| VPP | 2.5 V | — |
| Temperature na Operasyon | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to 95°C |
| Packhaging | FBGA-78 (7.5x11 mm) | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Latensya ng CAS | 22 (typical) | 18 ns |
| tRCD | 22 ns | — |
| tRP | 22 ns | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | — |
| Self-Refresh Current | 30 mA (typical) | — |
| Active Standby Current | 60 mA (typical) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Laki ng Memory | — | 8 Gbit |
| Volte ng Pagbibigay | — | 1.2 V |
| Uri ng Pagpapasok | — | Surface Mount |
| JEDEC Standard | — | Compliant |
| Interface | — | POD (Pseudo Open Drain) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Tindminan RoHS | — | Compliant |
| Packaging | — | Tray |