H5AN8G8NDJR vs AS4C512M16D4A-62BCN Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5AN8G8NDJR tarafından SK hynix ve AS4C512M16D4A-62BCN tarafından Alliance MemoryAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

SK hynix
H5AN8G8NDJR H5AN8G8NDJR - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | SK hynix

H5AN8G8NDJR - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | SK hynix

H5AN8G8NDJR ✓ Aktif
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre H5AN8G8NDJR AS4C512M16D4A-62BCN
Marka SK hynix Alliance Memory
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Organizasyon 1G x 8 512M x 16
Veri Hızı 3200 MT/s 1600 MHz (3200 Mbps)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (1.14V to 1.26V) —
VDDQ 1.2 V —
VPP 2.5 V —
İşletim Sıcaklığı 0°C to +95°C (Tc) 0°C to 95°C
Paket FBGA-78 (7.5x11 mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
CAS Gecikme 22 (typical) 18 ns
tRCD 22 ns —
tRP 22 ns —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) —
Self-Refresh Current 30 mA (typical) —
Active Standby Current 60 mA (typical) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Bellek Boyutu — 8 Gbit
Besleme Gerilimi — 1.2 V
Montaj Türü — Surface Mount
JEDEC Standard — Compliant
Arayüz — POD (Pseudo Open Drain)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes
RoHS Durumu — Compliant
Packaging — Tray

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin