H5AN8G8NDJR vs AS4C512M16D4A-62BCN So sánh
So sánh chi tiết song song của H5AN8G8NDJR bằng SK hynix và AS4C512M16D4A-62BCN bằng Alliance Memory. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | H5AN8G8NDJR | AS4C512M16D4A-62BCN |
|---|---|---|
| Thương hiệu | SK hynix | Alliance Memory |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Tổ chức | 1G x 8 | 512M x 16 |
| Tốc độ dữ liệu | 3200 MT/s | 1600 MHz (3200 Mbps) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| VDDQ | 1.2 V | — |
| VPP | 2.5 V | — |
| Nhiệt độ hoạt động | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to 95°C |
| Hộp | FBGA-78 (7.5x11 mm) | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Latency CAS | 22 (typical) | 18 ns |
| tRCD | 22 ns | — |
| tRP | 22 ns | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | — |
| Self-Refresh Current | 30 mA (typical) | — |
| Active Standby Current | 60 mA (typical) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Kích thước bộ nhớ | — | 8 Gbit |
| Điện áp cung cấp | — | 1.2 V |
| Kiểu lắp đặt | — | Surface Mount |
| JEDEC Standard | — | Compliant |
| Giao diện | — | POD (Pseudo Open Drain) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| Packaging | — | Tray |