H5ANAG8NCMR-XNI vs MT40A2G8AG-062E তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা H5ANAG8NCMR-XNI নির্দিষ্ট SK hynix ও MT40A2G8AG-062E নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

SK hynix
H5ANAG8NCMR-XNI H5ANAG8NCMR-XNI - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-XNI - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-XNI ✓ সক্রিয়
Micron Technology
MT40A2G8AG-062E MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার H5ANAG8NCMR-XNI MT40A2G8AG-062E
ব্র্যান্ড SK hynix Micron Technology
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ Volatile (DRAM) DDR4 SDRAM
Memory Format DDR4 SDRAM —
মেমরি সাইজ 16 Gb —
Memory Organization x8 —
ইন্টারফেস Parallel —
ডেটা রেট 3200 Mbps (DDR4-3200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
প্যাকেজ FBGA-78 78-FBGA (7.5 x 11 mm)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Product Status Active —
Manufacturer SK Hynix —
Technology CMOS DDR4 SDRAM —
RoHS স্ট্যাটাস [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] —
Density — 16 Gbit
সংগঠন — 2G x 8
Speed — DDR4-3200 (3200 MT/s)
Clock Frequency — 1600 MHz
Access Time (Clock Cycle Time) — 0.625 ns (tCK)
CAS লেটেন্সি — CL22 (DDR4-3200)
Access Time — 19 ns
Supply Voltage VDD — 1.2 V
I/O Interface — POD12 (1.2 V pseudo-open drain)
VPP Voltage — 2.5 V
Number of Banks — 16 (4 bank groups x 4 banks)
Operating Temperature (AUT grade) — -40C to +95C (per Micron grade table)
Die Revision — AG (current generation)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট