H5ANAG8NCMR-XNI vs MT40A2G8AG-062E So sánh

So sánh chi tiết song song của H5ANAG8NCMR-XNI bằng SK hynix và MT40A2G8AG-062E bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5ANAG8NCMR-XNI H5ANAG8NCMR-XNI - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-XNI - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-XNI ✓ Hoạt động
Micron Technology
MT40A2G8AG-062E MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5ANAG8NCMR-XNI MT40A2G8AG-062E
Thương hiệu SK hynix Micron Technology
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ Volatile (DRAM) DDR4 SDRAM
Memory Format DDR4 SDRAM —
Kích thước bộ nhớ 16 Gb —
Memory Organization x8 —
Giao diện Parallel —
Tốc độ dữ liệu 3200 Mbps (DDR4-3200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Hộp FBGA-78 78-FBGA (7.5 x 11 mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Product Status Active —
Manufacturer SK Hynix —
Technology CMOS DDR4 SDRAM —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] —
Density — 16 Gbit
Tổ chức — 2G x 8
Speed — DDR4-3200 (3200 MT/s)
Clock Frequency — 1600 MHz
Access Time (Clock Cycle Time) — 0.625 ns (tCK)
Latency CAS — CL22 (DDR4-3200)
Access Time — 19 ns
Supply Voltage VDD — 1.2 V
I/O Interface — POD12 (1.2 V pseudo-open drain)
VPP Voltage — 2.5 V
Number of Banks — 16 (4 bank groups x 4 banks)
Operating Temperature (AUT grade) — -40C to +95C (per Micron grade table)
Die Revision — AG (current generation)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá