H5TC4G63AFR-PBA vs K4B4G1646E-BYMATCV তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা H5TC4G63AFR-PBA নির্দিষ্ট SK hynix ও K4B4G1646E-BYMATCV নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | H5TC4G63AFR-PBA | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | SK hynix | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ইউনিট মূল্য (USD) | $3.98 | — |
| মেমরি টাইপ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| সংগঠন | 256M x 16 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V | — |
| ডেটা রেট | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 1866 Mbps |
| প্যাকেজ | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| CAS Latency (CL) | 11, 12, 13 | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | 0°C to +95°C (Tcase) | -40°C to +95°C |
| ইন্টারফেস | 16-bit I/O | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Partial Array Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| মেমরি সাইজ | — | 4 Gbit (256M x 16) |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 1.35 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| পিনের সংখ্যা | — | 96 |
| CAS লেটেন্সি | — | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |