H5TC4G63AFR-PBA vs K4B4G1646E-BYMATCV مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5TC4G63AFR-PBA توسط SK hynix و K4B4G1646E-BYMATCV توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | H5TC4G63AFR-PBA | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | $3.98 | — |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| سازمان | 256M x 16 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V | — |
| نرخ داده | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 1866 Mbps |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| CAS Latency (CL) | 11, 12, 13 | — |
| محدوده دمای کاری | 0°C to +95°C (Tcase) | -40°C to +95°C |
| رابط | 16-bit I/O | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Partial Array Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| اندازه حافظه | — | 4 Gbit (256M x 16) |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.35 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| تعداد پین‌ها | — | 96 |
| تأخیر CAS | — | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |