H5TC4G63AFR-PBA vs K4B4G1646E-BYMATCV तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5TC4G63AFR-PBA द्वारा SK hynix और K4B4G1646E-BYMATCV द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5TC4G63AFR-PBA | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | $3.98 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| संगठन | 256M x 16 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V | — |
| डेटा दर | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 1866 Mbps |
| पैकेज | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| CAS Latency (CL) | 11, 12, 13 | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | 0°C to +95°C (Tcase) | -40°C to +95°C |
| इंटरफ़ेस | 16-bit I/O | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Partial Array Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| मेमोरी आकार | — | 4 Gbit (256M x 16) |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.35 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| पिन की संख्या | — | 96 |
| CAS लेटेंसी | — | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |