H5TC4G63AFR-PBA vs K4B4G1646E-BYMATCV So sánh
So sánh chi tiết song song của H5TC4G63AFR-PBA bằng SK hynix và K4B4G1646E-BYMATCV bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | H5TC4G63AFR-PBA | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| Thương hiệu | SK hynix | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Giá đơn vị (USD) | $3,98 | — |
| Kiểu bộ nhớ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Tổ chức | 256M x 16 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V | — |
| Tốc độ dữ liệu | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 1866 Mbps |
| Hộp | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| CAS Latency (CL) | 11, 12, 13 | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | 0°C to +95°C (Tcase) | -40°C to +95°C |
| Giao diện | 16-bit I/O | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Partial Array Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Kích thước bộ nhớ | — | 4 Gbit (256M x 16) |
| Điện áp cung cấp | — | 1.35 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Số lượng chân | — | 96 |
| Latency CAS | — | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |