H5TC4G63AFR-PBA vs K4B4G1646E-BYMATCV موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5TC4G63AFR-PBA بذریعہ SK hynix اور K4B4G1646E-BYMATCV بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | H5TC4G63AFR-PBA | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| برانڈ | SK hynix | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $3.98 | — |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| تنظیم | 256M x 16 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V | — |
| ڈیٹا ریٹ | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 1866 Mbps |
| پیکیج | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| CAS Latency (CL) | 11, 12, 13 | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | 0°C to +95°C (Tcase) | -40°C to +95°C |
| انٹرفیس | 16-bit I/O | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Partial Array Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| میموری سائز | — | 4 Gbit (256M x 16) |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.35 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| پنز کی تعداد | — | 96 |
| CAS لیٹنسی | — | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |