IPD50N06S409ATMA2 vs IPD052N10NF2SATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD50N06S409ATMA2 নির্দিষ্ট Infineon ও IPD052N10NF2SATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPD50N06S409ATMA2 | IPD052N10NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS) | MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 100V |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 50 A | 118 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | 9 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 71 W | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55 °C to +175 °C | — |
| প্যাকেজ | PG-TO252-3-11 (DPAK) | — |
| পিন সংখ্যা | 3 (2 + Tab) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | [DATA_NEEDED] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPD052N10NF2SATMA1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 17 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 150 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max | — | 5.2 mΩ @ VGS=10V, ID=70A |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Max | — | 3.8 V @ ID=84µA |
| প্যাকেজ / কেস | — | PG-TO252-3 (DPAK, SC-63) |
| Supplier Device Package | — | PG-TO252-3 |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Number of Channels | — | 1 |