IPD50N06S409ATMA2 vs IPD052N10NF2SATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPD50N06S409ATMA2 bằng Infineon và IPD052N10NF2SATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPD50N06S409ATMA2 - 60V 50A 9mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon
IPD50N06S409ATMA2 ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPD50N06S409ATMA2 | IPD052N10NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS) | MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 100V |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 50 A | 118 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | 9 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 71 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 °C to +175 °C | — |
| Hộp | PG-TO252-3-11 (DPAK) | — |
| Số chân | 3 (2 + Tab) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | [DATA_NEEDED] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPD052N10NF2SATMA1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 17 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 150 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max | — | 5.2 mΩ @ VGS=10V, ID=70A |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Max | — | 3.8 V @ ID=84µA |
| Hộp / Vỏ | — | PG-TO252-3 (DPAK, SC-63) |
| Supplier Device Package | — | PG-TO252-3 |
| Nhiệt độ hoạt động | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Number of Channels | — | 1 |