IPD50N06S409ATMA2 vs IPD052N10NF2SATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD50N06S409ATMA2 tarafından Infineon ve IPD052N10NF2SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD50N06S409ATMA2 | IPD052N10NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS) | MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 100V |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 50 A | 118 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | 9 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 71 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 °C to +175 °C | — |
| Paket | PG-TO252-3-11 (DPAK) | — |
| Pin Sayısı | 3 (2 + Tab) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | [DATA_NEEDED] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPD052N10NF2SATMA1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 17 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 150 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max | — | 5.2 mΩ @ VGS=10V, ID=70A |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Max | — | 3.8 V @ ID=84µA |
| Paket / Kas | — | PG-TO252-3 (DPAK, SC-63) |
| Supplier Device Package | — | PG-TO252-3 |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Number of Channels | — | 1 |