IPD50N06S409ATMA2 vs IPD052N10NF2SATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPD50N06S409ATMA2 توسط Infineon و IPD052N10NF2SATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPD50N06S409ATMA2 | IPD052N10NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS) | MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 100V |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 50 A | 118 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | 9 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 71 W | — |
| دمای اتصال کاری | -55 °C to +175 °C | — |
| بسته‌بندی | PG-TO252-3-11 (DPAK) | — |
| تعداد پایه | 3 (2 + Tab) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | [DATA_NEEDED] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPD052N10NF2SATMA1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 17 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 150 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max | — | 5.2 mΩ @ VGS=10V, ID=70A |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Max | — | 3.8 V @ ID=84µA |
| بسته‌بندی / کیس | — | PG-TO252-3 (DPAK, SC-63) |
| Supplier Device Package | — | PG-TO252-3 |
| دمای کاری | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Number of Channels | — | 1 |