IPD50N06S409ATMA2 vs IPD22N08S2L50ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD50N06S409ATMA2 নির্দিষ্ট Infineon ও IPD22N08S2L50ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPD22N08S2L50ATMA1 - 75V 27A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon
IPD22N08S2L50ATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPD50N06S409ATMA2 | IPD22N08S2L50ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 50 A | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | 9 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | Logic-Level (typ. 1.7-2.5 V) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 71 W | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55 °C to +175 °C | -55 C to +175 C |
| প্যাকেজ | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| পিন সংখ্যা | 3 (2 + Tab) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 Qualified |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | [DATA_NEEDED] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 27 A |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | — | 75 W |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 23 mOhm (typical) |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V and VGS=4.5V] |
| Avalanche Energy Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| MSL লেভেল | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 C peak reflow) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Green Package) |