IPD50N06S409ATMA2 vs IPD22N08S2L50ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD50N06S409ATMA2 מאת Infineon ו IPD22N08S2L50ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPD50N06S409ATMA2 | IPD22N08S2L50ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 50 A | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | 9 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | Logic-Level (typ. 1.7-2.5 V) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 71 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55 °C to +175 °C | -55 C to +175 C |
| מארז | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| מספר פינים | 3 (2 + Tab) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 Qualified |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | [DATA_NEEDED] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 27 A |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | — | 75 W |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 23 mOhm (typical) |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V and VGS=4.5V] |
| Avalanche Energy Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| רמת MSL | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 C peak reflow) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Green Package) |