IPD50N06S409ATMA2 vs IPD22N08S2L50ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD50N06S409ATMA2 द्वारा Infineon और IPD22N08S2L50ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPD22N08S2L50ATMA1 - 75V 27A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon
IPD22N08S2L50ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD50N06S409ATMA2 | IPD22N08S2L50ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 50 A | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | 9 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | Logic-Level (typ. 1.7-2.5 V) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 71 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 °C to +175 °C | -55 C to +175 C |
| पैकेज | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| पिन काउंट | 3 (2 + Tab) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 Qualified |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | [DATA_NEEDED] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 27 A |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | — | 75 W |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 23 mOhm (typical) |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V and VGS=4.5V] |
| Avalanche Energy Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| MSL स्तर | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 C peak reflow) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Green Package) |