IPG20N04S408ATMA1 vs IPG20N06S2L65ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPG20N04S408ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPG20N06S2L65ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPG20N04S408ATMA1 IPG20N04S408ATMA1 - Dual N-Ch 40V 20A 7.6mOhm OptiMOS | Infineon

IPG20N04S408ATMA1 - Dual N-Ch 40V 20A 7.6mOhm OptiMOS | Infineon

IPG20N04S408ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IPG20N06S2L65ATMA1 IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPG20N04S408ATMA1 IPG20N06S2L65ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type Dual N-Channel Dual N-Channel, Logic Level
Technology OptiMOS (trench MOSFET) OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V)
Drain-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, per channel) 20 A at 25 degC case —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 7.6 mOhm —
Maximum Power Dissipation (P_D) 65 W —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55 degC to +175 degC —
প্যাকেজ PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual) PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
MSL লেভেল MSL1 (260 degC peak reflow) MSL1 (260°C peak reflow)
AEC-Q101 Qualified Yes —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant (Green Product) —
Avalanche Rated 100 percent tested —
Channel Count 2 (independent) —
Operating Mode Enhancement mode, Normal Level —
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A per channel
RDS(on) at VGS=10V — 65 mΩ typical
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.5 V (logic level)
Total Power Dissipation (Ptot) — 43 W
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55°C to +175°C
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
RoHS Compliance — RoHS Compliant (Green Product)
Packaging — Tape & Reel (TMA1 suffix)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট