IPG20N04S408ATMA1 vs IPG20N06S2L65ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPG20N04S408ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPG20N06S2L65ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPG20N04S408ATMA1 | IPG20N06S2L65ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | Dual N-Channel | Dual N-Channel, Logic Level |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V) |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, per channel) | 20 A at 25 degC case | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 7.6 mOhm | — |
| Maximum Power Dissipation (P_D) | 65 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 degC to +175 degC | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual) | PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | MSL1 (260 degC peak reflow) | MSL1 (260°C peak reflow) |
| AEC-Q101 Qualified | Yes | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (Green Product) | — |
| Avalanche Rated | 100 percent tested | — |
| Channel Count | 2 (independent) | — |
| Operating Mode | Enhancement mode, Normal Level | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A per channel |
| RDS(on) at VGS=10V | — | 65 mΩ typical |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.5 V (logic level) |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 43 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55°C to +175°C |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Qualified |
| RoHS Compliance | — | RoHS Compliant (Green Product) |
| Packaging | — | Tape & Reel (TMA1 suffix) |