IPG20N04S408ATMA1 vs IPG20N06S2L65ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPG20N04S408ATMA1 tarafından Infineon ve IPG20N06S2L65ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPG20N04S408ATMA1 | IPG20N06S2L65ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | Dual N-Channel | Dual N-Channel, Logic Level |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V) |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, per channel) | 20 A at 25 degC case | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 7.6 mOhm | — |
| Maximum Power Dissipation (P_D) | 65 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 degC to +175 degC | — |
| Paket | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual) | PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | MSL1 (260 degC peak reflow) | MSL1 (260°C peak reflow) |
| AEC-Q101 Qualified | Yes | — |
| RoHS Durumu | Compliant (Green Product) | — |
| Avalanche Rated | 100 percent tested | — |
| Channel Count | 2 (independent) | — |
| Operating Mode | Enhancement mode, Normal Level | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A per channel |
| RDS(on) at VGS=10V | — | 65 mΩ typical |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.5 V (logic level) |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 43 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55°C to +175°C |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Qualified |
| RoHS Compliance | — | RoHS Compliant (Green Product) |
| Packaging | — | Tape & Reel (TMA1 suffix) |