IPN95R3K7P7ATMA1 vs IPD80R1K4P7ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPN95R3K7P7ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPD80R1K4P7ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPN95R3K7P7ATMA1 IPN95R3K7P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-MOSFET 2A SOT-223 | Infineon

IPN95R3K7P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-MOSFET 2A SOT-223 | Infineon

IPN95R3K7P7ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPN95R3K7P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS P7
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 950 V 800 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 2.0 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 6 W —
On-State Resistance (RDS(on)) max 3700 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Technology Super-junction (CoolMOS P7) N-Channel Superjunction
প্যাকেজ PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) PG-TO252-2 (DPAK)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55 C to +150 C -55C to +150C
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 4 A
On-Resistance (RDS(on)) typ/max — 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V (typ)
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
পাওয়ার ডিসিপেশন (Ptot) — 32 W
পিন সংখ্যা — 3 (Gate, Drain/Tab, Source)
REACH Status — Compliant
Avalanche Energy Rated — Yes
Body Diode — Integrated, fast recovery

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট