IPN95R3K7P7ATMA1 vs IPD80R1K4P7ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPN95R3K7P7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD80R1K4P7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPN95R3K7P7ATMA1 | IPD80R1K4P7ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 950 V | 800 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 2.0 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 6 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 3700 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Technology | Super-junction (CoolMOS P7) | N-Channel Superjunction |
| پیکیج | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) | PG-TO252-2 (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 C to +150 C | -55C to +150C |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 4 A |
| On-Resistance (RDS(on)) typ/max | — | 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| پاور ڈسپیشن (Ptot) | — | 32 W |
| پن کی تعداد | — | 3 (Gate, Drain/Tab, Source) |
| REACH Status | — | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| Body Diode | — | Integrated, fast recovery |