IPN95R3K7P7ATMA1 vs IPD80R1K4P7ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPN95R3K7P7ATMA1 tarafından Infineon ve IPD80R1K4P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPN95R3K7P7ATMA1 | IPD80R1K4P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 950 V | 800 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 2.0 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 6 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 3700 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Technology | Super-junction (CoolMOS P7) | N-Channel Superjunction |
| Paket | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) | PG-TO252-2 (DPAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 C to +150 C | -55C to +150C |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 4 A |
| On-Resistance (RDS(on)) typ/max | — | 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Güç Tüketimi (Ptot) | — | 32 W |
| Pin Sayısı | — | 3 (Gate, Drain/Tab, Source) |
| REACH Status | — | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| Body Diode | — | Integrated, fast recovery |