IPN95R3K7P7ATMA1 vs IPD80R1K4P7ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPN95R3K7P7ATMA1 توسط Infineon و IPD80R1K4P7ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPN95R3K7P7ATMA1 | IPD80R1K4P7ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 950 V | 800 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 2.0 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 6 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 3700 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Technology | Super-junction (CoolMOS P7) | N-Channel Superjunction |
| بسته‌بندی | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) | PG-TO252-2 (DPAK) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای اتصال کاری | -55 C to +150 C | -55C to +150C |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 4 A |
| On-Resistance (RDS(on)) typ/max | — | 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| اتلاف توان (Ptot) | — | 32 W |
| تعداد پایه | — | 3 (Gate, Drain/Tab, Source) |
| REACH Status | — | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| Body Diode | — | Integrated, fast recovery |