IPP069N20NM6AKSA1 vs IRFB4020PBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPP069N20NM6AKSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IRFB4020PBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPP069N20NM6AKSA1 - 200V 136A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
IPP069N20NM6AKSA1 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPP069N20NM6AKSA1 | IRFB4020PBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 136 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 15.3 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 300 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.8 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 6.9 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Total Gate Charge at VGS=10V (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +175C | — |
| প্যাকেজ | PG-TO220-3-1 (TO-220-3 through-hole, 3+tab) | TO-220AB (through-hole) |
| মাউন্টিং টাইপ | Through Hole | Through Hole |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | IR MOSFET (HEXFET) |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL লেভেল | N/A (through-hole package) | — |
| Tab Connection | Electrically connected to Drain | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 18 A |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 100 W |
| RDS(on) Maximum | — | 100 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) Maximum | — | 20 V |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | — | 1.43 C/W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | 175 C (max) |
| পিন সংখ্যা | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Lead-Free (PbF suffix) | — | Yes |
| Market Qualification | — | Consumer |
| Recommended Use | — | Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications |