IPP069N20NM6AKSA1 vs IRFB4020PBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IPP069N20NM6AKSA1 bằng Infineon và IRFB4020PBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPP069N20NM6AKSA1 IPP069N20NM6AKSA1 - 200V 136A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPP069N20NM6AKSA1 - 200V 136A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPP069N20NM6AKSA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPP069N20NM6AKSA1 IRFB4020PBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 136 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 15.3 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 6.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Total Gate Charge at VGS=10V (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +175C —
Hộp PG-TO220-3-1 (TO-220-3 through-hole, 3+tab) TO-220AB (through-hole)
Kiểu lắp đặt Through Hole Through Hole
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET IR MOSFET (HEXFET)
Trạng thái RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Cấp MSL N/A (through-hole package) —
Tab Connection Electrically connected to Drain —
Continuous Drain Current (ID) at TC — 18 A
Power Dissipation (PD) at TC — 100 W
RDS(on) Maximum — 100 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) Maximum — 20 V
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 1.43 C/W
Nhiệt độ mối nối hoạt động — 175 C (max)
Số chân — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead-Free (PbF suffix) — Yes
Market Qualification — Consumer
Recommended Use — Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá