IPW60R041C6FKSA1 vs IPP60R180P7XKSA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPW60R041C6FKSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPP60R180P7XKSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPP60R180P7XKSA1 IPP60R180P7XKSA1 - 600V 18A 180mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPP60R180P7XKSA1 - 600V 18A 180mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPP60R180P7XKSA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPW60R041C6FKSA1 IPP60R180P7XKSA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস NRND সক্রিয়
Technology CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 77.5 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 481 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 41 mΩ at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V typical —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr value] —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf value] —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55°C to +150°C -55 °C to +150 °C
প্যাকেজ PG-TO247-3-1 (TO-247-3) PG-TO220-3 (through-hole)
মাউন্টিং টাইপ Through Hole Through Hole
MSL লেভেল Not Applicable (Through-hole) N/A (through-hole)
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Manufacturer — Infineon Technologies
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 18 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 180 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V]
Power Dissipation PD at TC=25°C — 72 W
পিনের সংখ্যা — 3 (Gate, Drain, Source)
Avalanche Energy Rated — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট