IPW60R041C6FKSA1 vs IPP60R180P7XKSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPW60R041C6FKSA1 بذریعہ Infineon اور IPP60R180P7XKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPW60R041C6FKSA1 IPP60R180P7XKSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت NRND فعال
Technology CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 77.5 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 481 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 41 mΩ at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V typical —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr value] —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf value] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +150°C -55 °C to +150 °C
پیکیج PG-TO247-3-1 (TO-247-3) PG-TO220-3 (through-hole)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
MSL لیول Not Applicable (Through-hole) N/A (through-hole)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Manufacturer — Infineon Technologies
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 18 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 180 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V]
Power Dissipation PD at TC=25°C — 72 W
پنز کی تعداد — 3 (Gate, Drain, Source)
Avalanche Energy Rated — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں