IPW60R041C6FKSA1 vs IPP60R180P7XKSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPW60R041C6FKSA1 tarafından Infineon ve IPP60R180P7XKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPW60R041C6FKSA1 IPP60R180P7XKSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu NRND Aktif
Technology CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 77.5 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 481 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 41 mΩ at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V typical —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr value] —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf value] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C -55 °C to +150 °C
Paket PG-TO247-3-1 (TO-247-3) PG-TO220-3 (through-hole)
Montaj Türü Through Hole Through Hole
MSL Seviyesi Not Applicable (Through-hole) N/A (through-hole)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Manufacturer — Infineon Technologies
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 18 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 180 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V]
Power Dissipation PD at TC=25°C — 72 W
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source)
Avalanche Energy Rated — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin