IPW60R041C6FKSA1 vs IPP60R180P7XKSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPW60R041C6FKSA1 توسط Infineon و IPP60R180P7XKSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPW60R041C6FKSA1 IPP60R180P7XKSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر NRND فعال
Technology CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 77.5 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 481 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 41 mΩ at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V typical —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr value] —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf value] —
محدوده دمای کاری -55°C to +150°C -55 °C to +150 °C
بسته‌بندی PG-TO247-3-1 (TO-247-3) PG-TO220-3 (through-hole)
نوع نصب Through Hole Through Hole
سطح MSL Not Applicable (Through-hole) N/A (through-hole)
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Manufacturer — Infineon Technologies
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 18 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 180 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V]
Power Dissipation PD at TC=25°C — 72 W
تعداد پین‌ها — 3 (Gate, Drain, Source)
Avalanche Energy Rated — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت