IQDH88N06LM5SCATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IQDH88N06LM5SCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IQDH88N06LM5SCATMA1 IQDH88N06LM5SCATMA1 - 60V 447A 0.7mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQDH88N06LM5SCATMA1 - 60V 447A 0.7mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQDH88N06LM5SCATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IQDH88N06LM5SCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IQDH88N06LM5SCATMA1 —
Series OptiMOS 5 —
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 5 Power-Transistor
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 25 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 42 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 447 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 0.7 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V —
Total Gate Charge (Qg) 76 nC —
Input Capacitance (Ciss) 11 nF —
Output Capacitance (Coss) 2 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 95 pF —
Power Dissipation (Ta) 3 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 333 W 278 W
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +175 C —
প্যাকেজ PG-WHSON-8-U02 (source-down, dual-side cooling) PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 75 A
Continuous Drain Current (Tc) — 789 A
Maximum On-Resistance RDS(on) — 0.29 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2 V (typ)
পিন সংখ্যা — 9
Cooling — Dual-side exposed pad (top + bottom)
MSL লেভেল — [DATA_NEEDED: MSL rating]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট