IQDH88N06LM5SCATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQDH88N06LM5SCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQDH88N06LM5SCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IQDH88N06LM5SCATMA1 —
Series OptiMOS 5 —
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 5 Power-Transistor
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 25 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 42 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 447 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 0.7 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V —
Total Gate Charge (Qg) 76 nC —
Input Capacitance (Ciss) 11 nF —
Output Capacitance (Coss) 2 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 95 pF —
Power Dissipation (Ta) 3 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 333 W 278 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C —
پیکیج PG-WHSON-8-U02 (source-down, dual-side cooling) PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 75 A
Continuous Drain Current (Tc) — 789 A
Maximum On-Resistance RDS(on) — 0.29 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2 V (typ)
پن کی تعداد — 9
Cooling — Dual-side exposed pad (top + bottom)
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں