IQDH88N06LM5SCATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQDH88N06LM5SCATMA1 द्वारा Infineon और IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IQDH88N06LM5SCATMA1 - 60V 447A 0.7mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IQDH88N06LM5SCATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQDH88N06LM5SCATMA1 | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IQDH88N06LM5SCATMA1 | — |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 42 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 447 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 0.7 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/- 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 76 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 11 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 2 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 95 pF | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 333 W | 278 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C | — |
| पैकेज | PG-WHSON-8-U02 (source-down, dual-side cooling) | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 75 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 789 A |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | — | 0.29 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2 V (typ) |
| पिन काउंट | — | 9 |
| Cooling | — | Dual-side exposed pad (top + bottom) |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |