IRF520NPBF vs IRF530NPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRF520NPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRF530NPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRF520NPBF | IRF530NPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Series | HEXFET | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc | 9.7 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | — |
| Gate-to-Source Voltage (V_GS) max | ±20 V | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 200 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | 16.7 nC | — |
| Power Dissipation (P_D) at Tc | 48 W | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +175C | — |
| প্যাকেজ | TO-220AB (through-hole) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Through Hole | Through Hole |
| MSL লেভেল | 1 (unlimited) | N/A (through-hole) |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (Pb-free) | Compliant |
| Lead-Free Finish | Yes (PBF suffix) | — |
| Technology | HEXFET (vertical DMOS) | — |
| Part Number | — | IRF530NPBF |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel HEXFET Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 17 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 60 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 90 mOhm (max, approximate per datasheet) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Maximum Power Dissition (Pd) at Tc | — | 70 W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55 C to +175 C |
| প্যাকেজ / কেস | — | TO-220AB (through-hole) |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Configuration | — | Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source) |