IRF7205TRPBF vs IRF7205PBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRF7205TRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRF7205PBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRF7205TRPBF IRF7205TRPBF - P-Ch -30V -4.6A 70mΩ SO-8 MOSFET | Infineon

IRF7205TRPBF - P-Ch -30V -4.6A 70mΩ SO-8 MOSFET | Infineon

IRF7205TRPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRF7205PBF IRF7205PBF - -30V P-Channel HEXFET MOSFET, 4.6A, SO-8 | Infineon

IRF7205PBF - -30V P-Channel HEXFET MOSFET, 4.6A, SO-8 | Infineon

IRF7205PBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRF7205TRPBF IRF7205PBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type P-Channel MOSFET —
Technology IR HEXFET (4th generation) IR MOSFET (HEXFET, planar cell)
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C -4.6 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 70 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V 130 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1.0 V to -3.0 V -1 V to -3 V (typical)
Total Gate Charge Qg 27 nC —
পাওয়ার ডিসিপেশন (TC=25°C) 2.5 W —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55 °C to +150 °C —
প্যাকেজ SO-8 (8-SO) SO-8
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
RoHS / Lead-Free Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) — -4.6 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 70 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55 C to +150 C (junction)
Power Dissipation (TA=25C) — [DATA_NEEDED: Pd at TA=25C]
Switching Frequency Optimization — Below 100 kHz
Qualification — JEDEC standard
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant (Pb-free per PBF suffix)
Generation — Fourth Generation HEXFET

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট