IRF7205TRPBF vs IRF7205PBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF7205TRPBF tarafından Infineon ve IRF7205PBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRF7205TRPBF | IRF7205PBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | P-Channel MOSFET | — |
| Technology | IR HEXFET (4th generation) | IR MOSFET (HEXFET, planar cell) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | -4.6 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V | 70 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V | 130 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | -1.0 V to -3.0 V | -1 V to -3 V (typical) |
| Total Gate Charge Qg | 27 nC | — |
| Güç Tüketimi (TC=25°C) | 2.5 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 °C to +150 °C | — |
| Paket | SO-8 (8-SO) | SO-8 |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS / Lead-Free | Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant | — |
| Packaging | Tape & Reel (TR suffix) | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -4.6 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V | — | 70 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=-4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] |
| Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 C to +150 C (junction) |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | [DATA_NEEDED: Pd at TA=25C] |
| Switching Frequency Optimization | — | Below 100 kHz |
| Qualification | — | JEDEC standard |
| RoHS Durumu | — | Compliant (Pb-free per PBF suffix) |
| Generation | — | Fourth Generation HEXFET |