IRF7205TRPBF vs IRF7205PBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7205TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF7205PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7205TRPBF IRF7205PBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type P-Channel MOSFET —
Technology IR HEXFET (4th generation) IR MOSFET (HEXFET, planar cell)
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C -4.6 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 70 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V 130 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1.0 V to -3.0 V -1 V to -3 V (typical)
Total Gate Charge Qg 27 nC —
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) 2.5 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +150 °C —
پیکیج SO-8 (8-SO) SO-8
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS / Lead-Free Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) — -4.6 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 70 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +150 C (junction)
Power Dissipation (TA=25C) — [DATA_NEEDED: Pd at TA=25C]
Switching Frequency Optimization — Below 100 kHz
Qualification — JEDEC standard
RoHS اسٹیٹس — Compliant (Pb-free per PBF suffix)
Generation — Fourth Generation HEXFET

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں