IRFB4020PBF vs IRF2805PBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFB4020PBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRF2805PBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRFB4020PBF IRFB4020PBF - 200V 18A N-Channel Digital Audio MOSFET | Infineon

IRFB4020PBF - 200V 18A N-Channel Digital Audio MOSFET | Infineon

IRFB4020PBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRF2805PBF IRF2805PBF - 55V 175A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF2805PBF - 55V 175A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF2805PBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRFB4020PBF IRF2805PBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET Power MOSFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 18 A —
Power Dissipation (PD) at TC 100 W —
RDS(on) Maximum 100 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) Maximum 20 V —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 1.43 C/W —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা 175 C (max) —
প্যাকেজ TO-220AB (through-hole) TO-220AB (3-pin, through-hole)
মাউন্টিং টাইপ Through Hole Through Hole
পিন সংখ্যা 3 (Gate, Drain, Source) —
Lead-Free (PbF suffix) Yes —
Market Qualification Consumer —
Recommended Use Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF2805PBF
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 75 A
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 175 A (pulsed / package-limited)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.7 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V
Total Gate Charge (Qg) — 150 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 330 W
Maximum Junction Temperature — 175 °C
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant (Pb-free)
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55 °C to +175 °C
Configuration — Single N-Channel MOSFET

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট