IRFB4020PBF vs IRF2805PBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFB4020PBF بذریعہ Infineon اور IRF2805PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRFB4020PBF | IRF2805PBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | HEXFET Power MOSFET (IR MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 18 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 100 W | — |
| RDS(on) Maximum | 100 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Maximum | 20 V | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | 1.43 C/W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | 175 C (max) | — |
| پیکیج | TO-220AB (through-hole) | TO-220AB (3-pin, through-hole) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Through Hole |
| پن کی تعداد | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Lead-Free (PbF suffix) | Yes | — |
| Market Qualification | Consumer | — |
| Recommended Use | Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRF2805PBF |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 75 A |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | — | 175 A (pulsed / package-limited) |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4.7 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 150 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 330 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant (Pb-free) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 °C to +175 °C |
| Configuration | — | Single N-Channel MOSFET |