IRFB4020PBF vs IRF2805PBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFB4020PBF द्वारा Infineon और IRF2805PBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFB4020PBF | IRF2805PBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | HEXFET Power MOSFET (IR MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 18 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 100 W | — |
| RDS(on) Maximum | 100 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Maximum | 20 V | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | 1.43 C/W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | 175 C (max) | — |
| पैकेज | TO-220AB (through-hole) | TO-220AB (3-pin, through-hole) |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Through Hole |
| पिन काउंट | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Lead-Free (PbF suffix) | Yes | — |
| Market Qualification | Consumer | — |
| Recommended Use | Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRF2805PBF |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 75 A |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | — | 175 A (pulsed / package-limited) |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4.7 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 150 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 330 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| RoHS स्थिति | — | Compliant (Pb-free) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 °C to +175 °C |
| Configuration | — | Single N-Channel MOSFET |