ISC008N06LM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISC008N06LM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও ISC151N08NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
ISC008N06LM6ATMA1 ISC008N06LM6ATMA1 - 60V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC008N06LM6ATMA1 - 60V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC008N06LM6ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার ISC008N06LM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 6 —
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 44 A —
Pulsed Drain Current (ID, pulse) at Tc 378 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 221 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
RDS(on) max @ VGS=10 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic Level (1.0 V to 2.4 V typical) —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +175 C (Tj) —
Package Type PG-TDSON-8 (Surface Mount) —
মাউন্টিং স্টাইল Surface Mount, Tape & Reel —
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS / Lead-Free Status RoHS Compliant, Lead-Free —
হ্যালোজেন মুক্ত Yes —
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (TA=25°C) — 9.2 A
কন্টিনিউয়াস ড্রেইন কারেন্ট (TC=25°C) — 37 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
On-Resistance RDS(on) max — 15.1 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Technology — OptiMOS 6
প্যাকেজ — PG-TDSON-8 FL
মাউন্টিং টাইপ — Surface Mount
পিনের সংখ্যা — 8
Channel Mode — Enhancement
অপারেটিং তাপমাত্রা — -55 °C to +175 °C
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট